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(ANSA-XINHUA) – PEQUIM, 05 de maio – Pesquisadores chineses descobriram um novo mecanismo para o desenvolvimento de dispositivos de memória não volátil de alta velocidade. De acordo com o Instituto de Física da Academia Chinesa de Ciências, o desenvolvimento de dispositivos de memória de alto desempenho desempenhou um papel importante na inovação eletrônica. Dispositivos de memória não volátil, incluindo ROMs e memórias flash, têm alta capacidade mecânica e alta confiabilidade, mas seu desempenho é frequentemente prejudicado pela baixa latência e baixa velocidade de operação.
Uma equipe de pesquisa do Instituto de Física desenvolveu dispositivos de memória não volátil de porta flutuante ultrarrápida baseados em estruturas de Van der Waals heterogêneas com interfaces atomicamente nítidas entre diferentes elementos funcionais, com um valor de extinção de 10 bilhões.
Esses dispositivos de memória são capazes de realizar operações de leitura e gravação da ordem de 20 ns e reter dados por pelo menos dez anos. Os dispositivos de memória flash comerciais atuais leem e gravam dados em um intervalo de 100 microssegundos ou 100.000 nanossegundos.
As estruturas heterogêneas de Van der Waals consistem em várias camadas empilhadas e podem ser usadas em campos de pesquisa que vão da ciência dos materiais à eletroquímica.
A pesquisa, financiada pela Fundação Nacional de Ciências Naturais da China, pelo Ministério da Ciência e Tecnologia e pela Academia Chinesa de Ciências, foi publicada online na Nature Nanotechnology na segunda-feira.
(Ansa Shenhua).
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